DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4800MHz起，頻率部分比DDR4 3200MHz增加了50%，而總傳輸帶寬則提升了38%。而最關(guān)鍵的一點(diǎn)是，DDR5內(nèi)存未來最高可達(dá)到的頻率為8400MHz，這幾乎奠定了未來數(shù)年里DDR5內(nèi)存在PC領(lǐng)域不可動搖的位置。

DDR5內(nèi)存單顆芯片可以達(dá)到64Gb，也就是8GB，如果單面設(shè)計4顆芯片，那么內(nèi)存容量可以達(dá)到32GB，雙面則可達(dá)到64GB，如果單面做到8顆芯片，那么容量最大則可達(dá)到128GB。當(dāng)然至于內(nèi)存顆粒容量的設(shè)計，以及單條內(nèi)存最大的容量，則需要廠商自己衡量。從目前PC的發(fā)展來看，大內(nèi)存并不是剛需，所以至少在初期，單條DDR5內(nèi)存能做到16GB的容量就應(yīng)該能滿足用戶的需求了。應(yīng)該說在服務(wù)器上，大容量的DDR5內(nèi)存才有更多發(fā)揮的空間。

DDR5的主要特性

等效頻率提升

大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”增長至“4800MHz”，隨著當(dāng)下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉健?/p>

頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了提升，在讀取測試、寫入測試，還是復(fù)制、延時方面，從跑分結(jié)果而言提升較大。

DRAM容量提升

內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向，在JEDEC的DDR4規(guī)范中，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

工作電壓更低

DDR5內(nèi)存工作電壓低至1.1V，對比DDR4最低1.2V的工作電壓，實現(xiàn)了20%左右的降低，它的降低擁有兩個重要意義。

其一是功耗方面，尤其是對于筆記本產(chǎn)品，以及企業(yè)級服務(wù)器產(chǎn)品而言，20%的功耗降低，具有顯著的節(jié)能意義;其二是超頻潛能，起始電壓的降低，使得后續(xù)進(jìn)行超頻調(diào)參有了更大的可操作空間，能進(jìn)一步提升內(nèi)存的超頻潛能。

On-die ECC

引入ECC糾錯機(jī)制，從而規(guī)避風(fēng)險，提高可靠性并降低缺陷率。

雙32位尋址通道

雙32位尋址通道的引入，其基本原理是將DDR5內(nèi)存模組內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道，從而有效的提高了內(nèi)存控制器，進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問的效率，同時減少了延遲。